清華大學工學院長賴志煌與物理系教授林秀豪，帶著博士生林柏宏、楊博元組成了跨領域團隊，成功研發出夢幻磁性記憶體「MRAM」的核心技術，目前相關研究已經登上了國際期刊「自然材料」。
▼根據《自由時報》的報導，研究團隊成功透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉，不僅有助於擴大記憶體容量，而且即使斷電資料也不會消失。未來採用磁性記憶體的手機、平板，待機時間可延長至少一倍以上。
目前的半導體業使用的動態隨機存取記憶體「DRAM」較為耗電，體積也已經達到縮小的極限，國際大廠英特爾、三星、台積電近年都紛紛投入「MRAM」的開發，如今清華團隊更找到了當中的關鍵核心技術，業界預估今年將會有高密度的「MRAM」量產外，也有助於磁性記憶體容量的擴大。
▼林秀豪解釋了「MRAM」運作的原理，原來電子除了帶電荷以為還具有自旋特性，當電子自轉時會產生極微小的磁矩，就像在晶片上形成千萬個微小的磁鐵，可以藉由小磁鐵的北極向上或向下來決定0與1的記憶，因此，不運算時就不必供電，且就算運算到一半斷電，資料也不會消失。
林柏宏也說明了「MRAM」處理資料的方式，是透過電子自旋流來控制磁鐵向上或向下的方向，翻轉磁鐵來處理資料，過去因為室溫下熱能會讓磁鐵震動，磁鐵太小的時候就會抵抗不住熱能隨機翻轉，所以在上方加上反鐵磁，就像夾子一樣固定住，但是又造成翻轉困難，只能靠升高溫度並搭配大磁場才能翻轉。
這項研究也獲得了學界內頂尖的期刊認可，代表這不僅是磁性記憶體的突破，也為自旋電子學的發展帶來嶄新視野。目前技術也已經申請了美國、台灣和中國專利，希望他們能繼續努力，讓台灣發明在全世界都發揚光大！
來源：網路資料
