三星電子 NAND Flash 技術再升級，在今天三星電子宣布研發出容量達 1 Tb（terabit）的 3D NAND 晶片，預計明年問世。據報導，三星研發 1Tb 的 V-NAND 晶片（即垂直堆棧的 3D NAND），容量是當前最大晶片 512Gb（gigabit）的兩倍。三星將結合 16 個 1Tb 的 die，構成一組 V-NAND 組，每組快閃記憶體容量可達 2TB（terabyte）。三星宣稱，該技術是過去 10 年來快閃記憶體的最大進展之一。


1Tb 相當於 126GB，能夠儲存 60 部兩小時的高畫質電影。三星表示，許多產業發展人工智慧和物聯網，數據密集的應用程式大增，Flash 內存扮演關鍵角色，可以加快數據抽取速度，以供實時分析。


不只如此，三星也秀出 NGSFF 固態硬碟（Next Generation Small Form Factor SSD），將取代當前的 M.2 SSD 規格。三星表示 NGSFF 容量為前代的 4 倍，將於今年第四季量產。


三星 2016 年發表 Z-SSD 技術，現在首度發表採用此一技術的 SZ985 固態硬碟，宣稱可用於數據中心和企業系統，處理大數據分析等數據密集作業。Z-SSD 讀取延遲時間為 15 微秒，大約是 NVME 固態硬碟的七分之一。■

本文編輯：宋陽

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